新型半導體銅錳濺射靶材面世

   　霍尼韋爾近日宣布推出新型銅錳濺射靶材，其采用(yòng)的(de)專利技術能爲半導體生産商帶來(lái)更高(gāo)的(de)靶材硬度、更長(cháng)的(de)使用(yòng)壽命以及更卓越的(de)性能表現。

　　新型靶材采用(yòng)霍尼韋爾等徑角塑型(ECAE)專利技術，它是霍尼韋爾最初爲鋁和(hé)鋁合金靶所研發的(de)先進生産工藝。

　　“霍尼韋爾電子材料積累了(le)近半個(gè)世紀的(de)冶金經驗和(hé)專業技術，”霍尼韋爾靶材業務産品總監克裏斯 • 拉皮耶特拉（Chris Lapietra）表示：“憑借這(zhè)些技術的(de)運用(yòng)，我們不斷研發出能夠幫助我們客戶獲益的(de)産品技術，新型ECAE銅錳合金靶就是很好的(de)例證。”

 

　　采用(yòng)ECAE工藝生産的(de)靶材擁有超細晶粒尺寸，确保高(gāo)度均勻的(de)材料結構，更高(gāo)的(de)材質硬度，更少的(de)雜(zá)質顆粒。普通(tōng)标準靶材的(de)晶粒尺寸一般在50至80微米之間，而新型ECAE銅錳合金靶則屬于亞微米尺寸。采用(yòng)ECAE技術生産的(de)超細晶粒尺寸能夠有效避免半導體生産商在采用(yòng)普通(tōng)帶背闆設計靶材時(shí)會碰到的(de)濺射電壓突然降低問題；該問題将造成尖端放電，形成雜(zá)質粒子，影(yǐng)響晶圓質量，最終導緻晶圓報廢和(hé)替換新的(de)靶材，從而引起不必要的(de)高(gāo)額成本。

 

　　增強的(de)硬度允許靶材能夠采用(yòng)一塊金屬進行一體化(huà)設計，從而使靶材使用(yòng)壽命延長(cháng)了(le)一倍，從原先的(de)1800千瓦小時(shí)提升至3600千瓦小時(shí)。延長(cháng)的(de)使用(yòng)壽命意味著(zhe)生産商可(kě)以降低靶材的(de)需求量，節省靶材更換以及機台維護所需的(de)時(shí)間和(hé)精力，所有這(zhè)一切都有助于幫助半導體生産商降低整體生産成本。

　　霍尼韋爾電子材料隸屬于霍尼韋爾特性材料和(hé)技術集團，主要生産微電子聚合物(wù)、電子化(huà)學品和(hé)其他(tā)先進材料。同時(shí)，霍尼韋爾電子材料金屬業務還(hái)包括一系列廣泛産品，例如物(wù)理(lǐ)真空沉積靶材（PVD）和(hé)線圈組、貴金屬熱(rè)電偶以及半導體後端封裝中熱(rè)管理(lǐ)和(hé)電子互聯相關的(de)低α粒子放射電鍍陽極、先進散熱(rè)材料等等。