聯系我們

廠址：北(běi)京市通(tōng)州區(qū)聯東U谷科技園中區(qū)景盛南(nán)四街(jiē)15号12I廠房(fáng)（中關村(cūn)科技園金橋科技産業基地）
電話(huà)：010-51669522 51669533
傳真：010-51662451-8001
郵編：101102
E-mail：sales@torch.cc
免費熱(rè)線：400-998-9522

行業動态您當前位置：主頁 > 關于我們 > 新聞中心 > 行業動态 >

真空回流焊爐工藝大(dà)幅提升UVLED可(kě)靠性

時(shí)間:2020-05-26 13:13　來(lái)源:未知　作者:admin　點擊:次

近幾年來(lái)，作爲LED行業的(de)細分(fēn)領域，UVLED行業發展得(de)如火如荼。UV LED（Ultra-Violet Light Emitting Diode）是一種能發出200nm-400nm不同波長(cháng)的(de)紫外線光(guāng)源，相比傳統光(guāng)源，有壽命長(cháng)、環保、能耗低、無熱(rè)輻射、體積小、固化(huà)時(shí)間快(kuài)等優點。目前UV-A LED（波長(cháng)320-400nm）主要用(yòng)于固化(huà)和(hé)幹燥等應用(yòng)，占據整個(gè)UV LED應用(yòng)産業至少半壁江山；而UV-C LED（波長(cháng)200-280nm）主要用(yòng)于殺菌消毒和(hé)淨化(huà)等應用(yòng)，預計未來(lái)将成爲UV LED市場(chǎng)的(de)新動能。

不同于傳統LED，UV LED需要專門的(de)電學、光(guāng)學和(hé)熱(rè)學設計，并需要專門的(de)特殊方案驗證。目前行業發展還(hái)存在很大(dà)的(de)技術瓶頸，産品存在良率不高(gāo)、可(kě)靠性不佳等問題。爲了(le)提升UV LED的(de)可(kě)靠性，封裝企業需要升級使用(yòng)真空焊接工藝，同時(shí)要保證原料的(de)高(gāo)質量，以及做(zuò)好二次散熱(rè)設計。

真空回流焊：減少空洞率，提升可(kě)靠性

按照(zhào)封裝方式與集成度的(de)不同，UV LED分(fēn)爲分(fēn)立式器件與集成模組。其中，集成模組又分(fēn)爲COB(Chip On Board)和(hé)DOB(Device On Board)。COB是将多(duō)顆LED芯片直接焊接在一塊基闆上，而DOB是先将LED芯片封裝在器件内，再将多(duō)個(gè)器件焊接在一塊基闆上。相較于COB，DOB更利于實現标準化(huà)大(dà)規模生産。一旦出現制造不良，DOB隻損失某個(gè)器件。而使用(yòng)過程中一旦發生光(guāng)源失效，DOB隻需要更換失效的(de)器件。

研究表明(míng)，DOB的(de)互聯層（包括固晶層和(hé)錫膏層）的(de)焊接質量對(duì)UV LED的(de)出光(guāng)率、總熱(rè)阻和(hé)可(kě)靠性有很大(dà)影(yǐng)響。目前固晶層的(de)焊接技術已經比較成熟，但器件與基闆間的(de)焊接層，由于工藝問題，不可(kě)避免地會産生氣泡而形成空洞。

據研究，空洞對(duì)熱(rè)阻的(de)影(yǐng)響關系爲：多(duō)個(gè)随機分(fēn)布的(de)小的(de)空洞（總百分(fēn)比V%)，對(duì)器件總熱(rè)阻（Rjc）的(de)影(yǐng)響關系爲Rjc＝0.007V%＋1.4987，而多(duō)個(gè)比較大(dà)的(de)空洞對(duì)器件總熱(rè)阻的(de)影(yǐng)響關系爲Rjc=1.427e0.015V% 。

空洞率越小，散熱(rè)越好，空洞率越大(dà)，則散熱(rè)越差。空洞率大(dà)，散熱(rè)能力差，導緻UV LED産品良率低，可(kě)靠性不佳，也(yě)減少UV LED芯片的(de)使用(yòng)壽命。一些UV LED封裝和(hé)應用(yòng)企業因而蒙受了(le)很大(dà)損失。目前行業大(dà)多(duō)采用(yòng)傳統的(de)回流焊工藝，焊接空洞率普遍高(gāo)達30%以上

針對(duì)以上問題，UV LED行業的(de)一些頭部企業已改用(yòng)真空焊接工藝，大(dà)幅降低了(le)UV LED芯片焊接的(de)空洞率，有效提升了(le)可(kě)靠性。據了(le)解，北(běi)京中科同志科技已研發出UVLED專用(yòng)真空焊接爐，即專門應用(yòng)于UV LED芯片和(hé)模組焊接的(de)真空回流焊爐，可(kě)以無縫替代進口真空焊接爐。使用(yòng)中科同志科技的(de)UVLED真空焊接爐，UV LED芯片焊接的(de)空洞率可(kě)以控制在3%以下(xià)。

另外，值得(de)一提的(de)是，中科同志科技的(de)UV LED專用(yòng)真空回流爐，專門針對(duì)UV LED産品做(zuò)了(le)特殊優化(huà)。UV LED芯片在使用(yòng)過程中，其能量全部是通(tōng)過亮度發射出去的(de)。其他(tā)焊接工藝會損傷表面，影(yǐng)響發光(guāng)。而中科同志科技真空回流爐，不會損傷UV LED照(zhào)明(míng)亮度，保證了(le)能量的(de)完整釋放。

保證原料高(gāo)質量和(hé)二次散熱(rè)設計的(de)合理(lǐ)性

爲了(le)提升可(kě)靠性，除了(le)改用(yòng)真空焊接爐進行封裝焊接，降低UV LED的(de)空洞率，還(hái)應重點關注以下(xià)兩點：

1、選擇質量高(gāo)的(de)基闆、芯片和(hé)錫膏。尤其是在UV LED産品批量生産過程中，一定要确保基闆的(de)質量。ont FACE='宋體'>用(yòng)于UV LED集成模組的(de)基闆主要有兩種，即銅基闆和(hé)氮化(huà)鋁(AlN)陶瓷基闆。相比氮化(huà)鋁陶瓷基闆，銅基闆有以下(xià)優點：價格更低；質地結實，不易出現裂紋甚至破裂的(de)情況；更容易實現形狀尺寸上的(de)變化(huà)。封裝物(wù)料的(de)選擇不同，器件的(de)性能和(hé)可(kě)靠性等都會有一定的(de)差異。

2、保證UV LED模組使用(yòng)過程中二次散熱(rè)設計的(de)合理(lǐ)性。可(kě)以參考如下(xià)規律：

a. 以 'UV LED模組總電功率×50%÷1.3小于等于散熱(rè)功率”作爲散熱(rè)充分(fēn)的(de)理(lǐ)論判斷依據。如果是水(shuǐ)冷(lěng)冷(lěng)卻，散熱(rè)功率以(出水(shuǐ)口溫度-進水(shuǐ)口溫度)x流速×水(shuǐ)或者其他(tā)散熱(rè)介質的(de)比熱(rè)容的(de)公式來(lái)計算(suàn)。如果是風冷(lěng)冷(lěng)卻，也(yě)按照(zhào)同樣的(de)方式來(lái)計算(suàn)。

b. 實驗樣品完成後，以靠近UV LED的(de)散熱(rè)基闆的(de)溫度不高(gāo)于55攝氏度爲實驗成功判斷依據。(能測試中間焊盤上的(de)溫度，同時(shí)要将進入實際設備上或實際工作環境中的(de)情況都考慮到，還(hái)要考慮周邊溫度和(hé)極端條件)。

上一篇：汽車大(dà)燈用(yòng)同志科技真空爐焊接空洞率竟然爲0% 　　　　　　　下(xià)一篇：UVLED行業應用(yòng)及前景分(fēn)析,UVLED的(de)發展帶動UVLED真空爐的(de)熱(rè)銷！

本頁關鍵詞：真空共晶爐,真空回流焊機,真空回流焊