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東芝3D芯片堆疊策略:像建樓一樣造閃存
東芝正在打造高(gāo)層閃存和(hé)ReRAM芯片,預計原型樣本将于明(míng)年推出。
高(gāo)層或3D芯片的(de)想法是:我們可(kě)以回避閃存或内存芯片存儲密度增加的(de)局限性,将它們向上堆疊,從而增加存儲密度,就像高(gāo)層住宅能夠居住更多(duō)人(rén)一樣。
從Nikkei Electronics得(de)知,東芝正在使用(yòng)一種NAND、其p-BiCS技術以及ReRAM(阻性RAM)來(lái)構建3D堆疊,ReRAM是NAND潛在的(de)替代技術,它結合了(le)RAM和(hé)NAND的(de)屬性來(lái)提供字節尋址能力、DRAM級速度和(hé)NAND非易失性。
正如下(xià)圖所示,3D閃存包含NAND堆疊層,它們通(tōng)過通(tōng)信孔(TSV或者Through Silicon Via)的(de)來(lái)鏈接到堆棧基的(de)堆棧控制器。這(zhè)并不是将NAND芯片堆疊在另一個(gè)芯片之上,而是在單個(gè)芯片中堆疊NAND層。
東芝3D芯片堆疊策略:像建樓一樣造閃存
東芝p-BiCS技術
東芝的(de)p-BiCS NAND有一個(gè)50納米大(dà)小的(de)洞和(hé)16層,東芝的(de)首席工程師Masaki Momodomi表示,當使用(yòng)超過15層時(shí),假設是類似的(de)容量水(shuǐ)平的(de)話(huà),p-BiCS要比普通(tōng)的(de)NAND更便宜。該公司計劃在明(míng)年提供128Gbit和(hé)256Gbit原型樣本,在2014年提供工程樣本,在2015年進行量産,我們還(hái)需要等待兩年才能在市面上看到這(zhè)個(gè)産品。
ReRAM技術也(yě)是類似的(de)時(shí)間表。它比NAND有更快(kuài)的(de)寫入時(shí)間,東芝認爲ReRAM能夠發揮與p-BiCS不同的(de)作用(yòng),它将用(yòng)于比p-BiCS更接近CPU的(de)未知,STT-RAM用(yòng)于SSD中的(de)高(gāo)速緩存。Objective Analysis的(de)Jim Handy表示:“ReRAM将被用(yòng)于高(gāo)性能應用(yòng)程序,它們的(de)寫入速度快(kuài)于NAND,它們是随機訪問設備,而NAND不是,它們不需要ECC,這(zhè)些都能夠帶來(lái)更快(kuài)性能。”
東芝的(de)ReRAM技術的(de)原型樣本、工程樣本和(hé)量産時(shí)間将于p-BiCS基本一緻。東芝展示了(le)64Gbit ReRAM設備的(de)圖片,但東芝計劃提供相當容量的(de)p-BiCS和(hé)ReRAM。
東芝計劃減小現有1Xnm(19納米)NAND單元的(de)大(dà)小,将于今年推出1Ynm(據我們了(le)解18-14納米),明(míng)年推出1Znm(10-13納米)産品。
Handy表示:“所有這(zhè)些新技術(MRAM、ReRAM、FRAM等)都比NAND有更好的(de)表現(BiCS是NAND的(de)一種),但更加昂貴。對(duì)于内存而言,成本就是一切,這(zhè)些替代品在這(zhè)方面并沒有做(zuò)好。這(zhè)些技術的(de)承諾是它們能夠跨越過去NAND的(de)擴展限制,如果真的(de)是這(zhè)樣的(de)話(huà),它們最終将比NAND更便宜。”
“東芝談到1y和(hé)1z,19納米後的(de)工藝。我懷疑NAND大(dà)約會在10納米停止擴展,但BiCS将導緻NAND價格繼續下(xià)降。”
我們會繼續看到NAND尺寸下(xià)降嗎?還(hái)是通(tōng)過3D從NAND的(de)堆疊中獲得(de)更多(duō)容量?Handy表示:“最新的(de)ITRS(國際半導體技術發展路線圖)爲NAND指出了(le)兩個(gè)不同的(de)方向,垂直(BiCS)和(hé)傳統。行業真的(de)不知道未來(lái)将如何發展,但讓我們拭目以待。”
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