廠址：北(běi)京市通(tōng)州區(qū)聯東U谷科技園中區(qū)景盛南(nán)四街(jiē)15号12I廠房(fáng)（中關村(cūn)科技園金橋科技産業基地）
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傳真：010-51662451-8001
郵編：101102
E-mail：sales@torch.cc
免費熱(rè)線：400-998-9522
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本文分(fēn)别從IGBT芯片體結構、背面集電極區(qū)結構和(hé)正面MOS結構出發，系統分(fēn)析了(le)大(dà)功率IGBT芯片的(de)技術現狀與特點，從芯片焊接與電極互連兩方面全面介紹了(le)IGBT模塊封
随著(zhe)半導體芯片技術和(hé)光(guāng)學技術的(de)發展，半導體激光(guāng)器的(de)輸出功率不斷提高(gāo)，光(guāng)束質量得(de)到明(míng)顯改善，在工業領域也(yě)獲得(de)了(le)更多(duō)應用(yòng)。目前，工業用(yòng)大(dà)功率半導體激光(guāng)器的(de)